新規合成イミダゾール系ドーパン卜を用いた フラーレン誘導体薄膜への電子ドーピング

摘要

有機半導体への電荷ドーピングについては、ァクセプタドーパントを用い た正孔ドーピングは幅広く研究されているが、ドナードーパントを用いた電子ドーピング に関しては、化合物の大気不安定性の問題からあまり研究が進展していなかった。しかし近年N-DMBIをはじめとしたイミダゾール環をもつ電子供与性ドーパント（DMBIドーパ ント）力、化学反応を利用した電子移動を行うことにより、 比較的安定性の高レ、電子ドーピングを行うことが報告されて いる[1]。これらは溶液プロセスが可能な純有機化合物で、当 研究グループでも可溶性のフラーレン誘導体であるPCBMに 対してN-DMBIを用いたn型半導体薄膜の作製により、その 電子ドーピング性能を検証した。本発表では、さらなるドー ビング安定性向上を目的としてDMBIドーパントを新しく改 良したN3-DMBI (図1)を合成し、PCBMに対する電子ドー ピングの性能を検証した結果につレ、て報告する。