Multi-Line-Beam CLC poly-Si TFTs におけるチャネルへの不純物導入効果

摘要

Multi-Line-Beam CLC (MLB-CLC)法を用いることで結晶面方位と成長方向が均一なpoly-Si 薄膜を得ることができる (Fig.1)[1]。しかし、作製した低温poly-Si TFT は、ON 電流は高い電流が得られているがOFF 電流も高い電流値を示しており、ON/OFF 比が一桁程度のスイッチング特性しか得られない。この原因として、結晶化領域でDonor 型欠陥が発生しており、poly-Si 薄膜がN-type 化していることが考えられる。本研究では、Donor型欠陥の原因探索を行い、チャネル不純物のTFT への効果を詳細に調べ、これにより高性能TFT を実現することを目的とする。