金属有機構造体(MOF)を用いた導電性ブリッジメモリ(CBRAM)応用のためのMOF薄膜合成法の基礎研究

摘要

次世代不揮発性メモリとして注目されている導電性ブリッジメモリ(CBRAM)のメモリ層に用いる金属酸化物多結晶薄膜は, スパッタリング法により作製されるため結晶性を制御することが困難である. そこで, 我々は金属イオンと有機配位子からなる金属有機構造体(MOF)をメモリ層に用いたCBRAMに着目した. これまでに, MOFの構成金属を含む基板上に直接MOF薄膜を成長させる手法を用いてMOF-CBRAMを作製し, メモリ動作を確認している . しかし, 先の方法で合成したMOF薄膜にはバラつきがあり, 平坦性が低いという問題点が存在する. そこで,本研究では高い平坦性を有するMOF薄膜を安定して合成できるように合成法を最適化することを目的に実験を行った.