多機能走査型プローブ顕微鏡によるSi SJ-MOSFETの評価パワーデバイス用結晶の評価(XXVII)

摘要

シリコンパヮーデバイスの高性能化は内部構造の最適化及びドーパント制御の向上により達成されてきた。しかし、高耐圧化及び大電流通電に対応したデバイスは小型化され、さらに内部構造が複雑化しており、ドーパント分布評価が重要である。そこで我々は、ナノスケール観測に強い走査型プローブ顕微鏡を用いて、Scanning Capacitance Force Microscope (SCFM)法によりSiSJ-MOSFET (Super Junction MOSFET)内部の不純物分布を評価したので報告する。