常温接合を用いたGaAs プレート多数枚積層擬似位相整合中赤外波長変換デバイスの開発Ⅲ

摘要

CO_2 レーザはkW レベルの高効率高出力動作が可能であることから，現在も加工用に広く用いられている．しかしながら，発振波長が10.6 μmや9.3 μmと長波長であるため加工精度には限界がある．もしCO_2 レーザの第2 高調波発生(SHG)により5 μm帯を高出力に発生することができれば，石英ガラス等のより高精細な加工が可能となる．本研究では波長変換材料として2 次非線形光学定数がLiNbO_3 の5 倍以上大きく，波長17 μm程度まで透明であるGaAs を用い，擬似位相整合(QPM: Quasi-Phase Matching)高効率高出力赤外波長変換デバイスを開発することを目的とする．