DC バイアススパッタ法を用いて作製したMoS_2 膜のラマン分光評価

摘要

MoS_2 化合物ターゲットを使用したRF マグネトロンスパッタ法によるMoS_2薄膜成長では、基板加熱により膜中に硫黄欠損が生成されることで結晶化が阻害されるなど課題が存在する。我々がこれまでに実施してきた堆積後硫化アニールのような2 ステップによる硫黄欠損補填法では、モリブデン原子のマイグレーション不足により結晶性に課題が存在し、1 ステップでの硫黄欠損抑制が望まれる。本研究ではスパッタMoS_2 作製時、基板に正のDC バイアス電圧を印加することで結晶性が向上することをラマン分光法により確認したので報告する。