NTT物性科学基礎研究所 NTTナノフォトニクスセンタ 神奈川県厚木市森の里若宮3-1 243-0198 guoqiang.zhang.ta@hco.ntt.co.jp;
NTT物性科学基礎研究所 NTTナノフォトニクスセンタ 神奈川県厚木市森の里若宮3-1 243-0198;
NTT物性科学基礎研究所;
机译:垂直型光学器件使用自催化生长在图案化Si衬底上的径向InP / InAsP / InP异质结构纳米线
机译:平面控制纳米线的位置控制VLS生长:产量和机理
机译:反应性VLS和ZnO纳米线生长的VS和VLS生长模式之间的可逆转换
机译:通过自催化VLS模式,基本控制的INP纳米线的垂直生长
机译:催化剂介导的III-V族纳米线的生长和光学性质:金催化砷化镓和自催化磷化铟
机译:InP衬底上InAs纳米线的自催化生长
机译:1平面纳米线的位点控制VLs增长:产量和2机制