グラファイト状窒化炭素薄膜の電気伝導特性の観測

摘要

グラファイト状窒化炭素は光触媒性を持つことが報告されており、半導体として約2.8 eVのバンドギャップを持つ。これを薄膜にすることで電子デバイス材料に応用ができる。本研究ではグラファイト状窒化炭素薄膜(g-C3N4)を合成し半導体としての性質を明らかにすることを目的としている。本発表では、特にその伝導特性を調べた。