インピーダンス解析による強誘電性HfO_2における分極反転過程の観察

摘要

近年high-k膜で知られるHfO_2が他元素の添加により強誘電性を示すことが発見され,この機能を活かした負性容量ゲート絶縁膜や不揮発性メモリへの可能性が模索されている.しかし一方で強誘電性HfO_2は常誘電相との共存や，抗電界の膜厚依存性が従来の強誘電体とは異なるといった特徴も示されており，デバイス設計における動作周波数の観点等からも分極反転機構の理解が求められる.本研究では強誘電性を示すHfO_2薄膜についてインピーダンス解析に基づレ、た分極反転過程の理解を試みた.