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常圧下一回熱処理による高J_c特性Bi2223/Ag多結晶厚膜の作製

机译:常压单热处理制备高J_c特性的Bi2223 / Ag多晶厚膜

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摘要

銀シース線材に代表される(Bi,Pb)_2Sr_2Ca_2Cu_3O_y[Bi2223]多結晶材料は一般的に、1次焼成による相生成、プレス や圧延による高密度化·配向強化を経て、粒間結合を修復する2次焼成を行う手順で作製され、我々はこれに従 つて作製した多様なBi2223材料の高J_c化指針について報告してきた。一方、我々は最近、実用銀シースBi2223 多芯線材(DI-BSCCO) の超伝導接合技術開発を試みており、接合部へのBi2223厚膜中間層の導入により高い 接合I_c(77 K, s.f.) > 80 Aを達成している。接合I_cの向上には接合中間層の高J_c化が有効であることを見出して いるが、超伝導磁石の製作現場では、簡便な接合手法であること、接合過程において線材のI_cが大きく劣化しな いことも求められる。従って、上記のような工程の多い作製手順を適用することは難しく、短時間·常圧下での一 回熱処理によって高J_c接合中間層が形成できることが望ましい。そこで本研究では、高J_c接合中間層の開発指針 確立を目指し、常圧下一回熱処理による高J_c特性Bi2223/Ag厚膜の作製を試みた。
机译:以银皮线为代表的多晶材料,例如(Bi,Pb)_2Sr_2Ca_2Cu_3O_y [Bi2223],通常通过初烧,压制和压延强化相形成来修复晶间键。我们已经报道了根据二次烧结程序生产的各种Bi2223材料的高J_c准则。另一方面,我们最近一直在尝试为实用的银护套Bi2223多芯线(DI-BSCCO)开发一种超导键合技术,由于将Bi2223厚膜中间层引入到键合部分中而具有较高的键合I_c(77 K,sf)。 > 80A。已经发现,增加接合中间层的J_c对于改善接合I_c是有效的,但是在超导磁体的制造现场,这是简单的接合方法,并且导线材料的I_c在接合过程中显着劣化。需要一些东西。因此,难以应用具有如上所述的许多步骤的制造过程,并且期望高J_c结中间层可以通过短时间在常压下通过一次热处理来形成。因此,在本研究中,以建立高J_c结中间层的开发指南为目标,我们试图通过在常压下进行一次热处理来制造具有高J_c特性的Bi2223 / Ag厚膜。

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