Auナノギャップを用いたシナプス素子におけるSTDP学習特性

摘要

近年、脳機能やその要素を精巧に模倣するニューロモルフィックハードウェアの研究が盛んである。例えば、メモリスタはパルス信号を用いた学習過程によって Spike-Timing-Dependent Plasticity(STDP)に対応した抵抗変化を示す素子として注目されている。一方、これまで我々は、ナノギャップのトンネル抵抗制御を行う手法として、ナノギャップでの通電による原子の移動現象を利用したアクティベーション法を提案してきた。また、シンプルな Au ナノギャップにおいて本手法を適用することで、Short-Term Plasticity(STP)とLong-Term Plasticity(LTP)のシナプス可塑性を模倣することができる[4]。そこで今回は、Auナノギャップに対して本手法を適用することで、より実際のシナプスの動作に近いSTDPの学習特性について検討した。