深紫外AlGaN発光ダイオード特性のp-AlGaN膜厚依存性

摘要

深紫外レーザダイオード（LD）は、短波長による高精度微細加工や高いフォトンエネルギーによる高効率金属加工を可能にする次世代のレーザとして実現が期待されている。端面出射型 LDの実現にむけて、高Al組成AlGaNクラッド層が不可欠であるが、深紫外域をカバーするAlGaN材料系ではAl組成の増加に伴い正孔濃度が急激に減少する。このため、高Al組成でかつ十分な厚み（～200 nm）のp-AlGaNクラッド層を有する構造では、動作電圧の増加だけでなく電流注入効率の低下など、正孔濃度減少に起因する特性の劣化が問題となる。今回、通常のLED構造においてp-AlGaNコンタクト層の膜厚依存性を調べた結果、200 nm厚のp-AlGaN LEDにおいて比較的高い電流注入効率を実現したので報告する。