SiO_2上に形成したGe_（1-x）Sn_x多結晶薄膜の熱電特性評価

摘要

未利用廃熱量の多い低温域の新規熱電変換材料として、我々はGe_(1-x)Sn_xに注目し、単結晶薄膜の熱電特性を評価してきた。現状、SbドープおよびGaドープGe_(1-x)Sn_xエピタキシャル薄膜において最大で1×10~（-3） Wm~（-1）K~（-2）程度のパワーファクター（P=S2σ）を達成している。しかし、これらの単結晶薄膜は半絶縁性のInPやGaAs基板上に形成されている。熱電デバイス構造の設計自由度を向上させるためには、絶縁膜上でのGe_(1-x)Sn_x層の形成が強く望まれる。そこで今回、SiO_2上にGe_(1-x)Sn_x多結晶薄膜を形成し、その熱電特性を評価した。