IBM SRDC, IZ 40E, 2070 Route 52, Hopewell Junction, NY 12533;
193nm lithography; chemically amplified; negative-tone resist; crosslinking; hexafluoroalcohol; etch;
机译:193nm阻性聚合物的分子量对负色显影过程的影响
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机译:基于形状记忆聚合物复合材料的智能铰链的设计,材料特性和性能
机译:193nm单层抗蚀剂材料:在所有主要脂环平台化学上均应综合考虑设计,物理性质和光刻性能
机译:新型树枝状聚合物作为下一代光刻的抗蚀剂材料的设计,合成和评估。
机译:芳基环氧热固性树脂的光刻性能作为微光学的阴性光致抗蚀剂
机译:高级193nm抗蚀剂研究。材料性能和光刻性能。
机译:金属配位聚合物作为潜在的高能光刻抗蚀剂。