ECIT Institute, Queen's University of Belfast, United Kingdom;
机译:采用0.35 m SiGe技术的超快低损耗42-70 GHz差分SPDT开关
机译:采用45 nm CMOS SOI的140–220 GHz SPST和SPDT开关
机译:超快速低损耗40–70 GHz SPST开关
机译:40-70 GHz 13 Gbps 1-DB损耗SPST和SPDT差动开关在0.35μmSiGe技术中
机译:使用0.35μmSiGeBiCMOS技术为IEEE 802.11a应用设计4.2-5.4 GHz差分LC VCO