Research Institute of Industrial Science Technology(RIST), P. 0. Box 135, Pohang, Korea 790330 054-279-6331, cjyang@rist.re.kr;
rnResearch Institute of Industrial Science Technology(RIST), P. 0. Box 135, Pohang, Korea 790330;
rnSamwha Chemical Industry;
rnBusan National University;
机译:AC-PDP中不同面板温度下含MgO单晶粉的MgO层地址放电特性分析
机译:交流等离子显示面板中带有纳米粉的MgO层的长时间放电特性
机译:在低压微波放电等离子体中沉积在单晶硅表面上的亚单层碳涂层的纳米结构
机译:使用单晶制成的靶沉积MgO保护层的等离子体放电特性,以及纳米粉末
机译:层状硫族化物半导体的单晶生长,粉末合成和表征
机译:非晶态和纳米晶化的Dc溅射沉积MgO薄膜的磁性
机译:空心阴极等离子体辅助原子层沉积沉积纳米AlxGa1-xN薄膜的光学特性
机译:从溶液中合成陶瓷:功能梯度复合材料,纳米复合材料和单晶薄膜。 mgO上岩盐结构高度错配氧化膜的外延生长和结构