GaNの酸化膜形成2段階ウェットエッチング法における酸化膜の電気的評価

摘要

GaNは化学的に安定しておりウェットエッチングが困難であるため，通常ドライエッチングが用いられるが，低ダメージかつ制御性の高いエッチングの方法として，ウェットエチングの適用を検討することは重要である。前回の応用物理学会においては，電気化学的手法によるGaNの陽極酸化と，酸化物除去による2段階ウェットエッチング法について報告した。図1に示すように，GaN の 2 段階ウェットエッチングにより GaN のパターニングに成功した。この際，我々はXPS測定により，通電後のGaNの陽極酸化を確認した。そこで今回は，陽極酸化領域の電気的特性を調べた。