Si結晶中のドーパント複合体と重金属の相互作用に関する第一原理解析

摘要

CMOSイメージセンサの製造工程における意図しない金属汚染は，フォトダイオード(PD)の空間電荷中に深い不純物準位，すなわちキャリアの発生・再結合中心を形成し，白キズ特性の悪化をもたらす．これまで，第一原理計算により単独のアクセプター原子またはドナー原子と各種金属元素の結合エネルギーが評価されている1)．ところで，CMOSイメージセンサのデバイス領域において，アクセプターとドナーが混在する領域も含まれている．しかしながら，アクセプターとドナーが混在する領域を対象とした第一原理解析はあまり行われていない．そこで本研究では，アクセプターとドナーの相互作用について，さらにドーパント複合体と重金属の相互作用について第一原理解析により知見を得ることを目的とした．