高品質n 型多結晶Ge 膜の合成に向けたSb 添加固相成長

摘要

情報端末や太陽電池の高性能化に向け、絶縁基板上へのⅣ族半導体薄膜の形成及び伝導型制御が必要不可欠である。我々は最近、Ge の固相成長において前駆体となる非晶質Ge 層を加熱堆積することで、結晶Ge 層の劇的な大粒径化を促し、正孔移動度を大幅に更新した。今回、n 型Geの形成を目指し、前駆体にSb をドーピングしたGe の固相成長における加熱堆積効果を調査した。