首页> 外文会议>26th International Conference on the Physics of Semiconductors Jul 29-Aug 2, 2002 Edinburgh, UK >Room Temperature Negative Differential Resistance of CdF CdF2/CaF /CaF2 Resonant Tunneling Diode grown on Si using Nanoarea Local Epitaxy
【24h】

Room Temperature Negative Differential Resistance of CdF CdF2/CaF /CaF2 Resonant Tunneling Diode grown on Si using Nanoarea Local Epitaxy

机译:利用纳米区域外延生长在Si上的CdF CdF2 / CaF / CaF2谐振隧穿二极管的室温负差分电阻

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摘要

This paper presents room temperature negative differentialrnresistance (NDR) of CdF2/CaF2 double barrier resonant tunneling diodesrn(RTDs) grown on silicon substrate using Nanoarea-Local-Epitaxy andrndemonstrates control of energy subbands in CdF2 quantum-well (QW) byrnchanging quantum-well layer thickness.
机译:本文介绍了使用纳米区域局域外延技术在硅衬底上生长的CdF2 / CaF2双势垒共振隧穿二极管(RTD)的室温负微分电阻(NDR),并演示了通过改变量子阱层来控制CdF2量子阱(QW)中的能量子带。厚度。

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