Tokyo Institute of Technology PRESTO - Japan Science and Technology Corporation;
Tokyo Institute of Technology;
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机译:纳米区域外延生长CdF {sub} 2 / CaF {sub} 2谐振隧穿二极管的负微分电阻特性的结构依赖性
机译:纳米区域外延生长CdF {sub} 2 / CaF {sub} 2谐振隧穿二极管的负微分电阻特性的结构依赖性
机译:CDF {SUB} 2 / CAF {SUB} 2纳米区域局部外延生长的谐振隧道二极管负差分电阻特性的结构依赖性
机译:硅上具有CdF / sub 2 // CaF / sub 2 /共振隧穿二极管的高峰谷电流比的室温负差分电阻
机译:共振隧穿和带内隧穿二极管中电子传输的NEGF模拟
机译:Si上基于GaAs的谐振隧穿二极管(RTD)外延用于高度敏感的应变仪应用
机译:使用超薄CAF2 / CDF2 / Si多层异质结构的单侧和双阻隔隧穿二极管结构分析