NanoP, TH Mittelhessen Univ. of Appl. Sci., Giessen, Germany;
NanoP, TH Mittelhessen Univ. of Appl. Sci., Giessen, Germany;
NanoP, TH Mittelhessen Univ. of Appl. Sci., Giessen, Germany;
NanoP, TH Mittelhessen Univ. of Appl. Sci., Giessen, Germany;
JARA-FIT, Forschungszentrum Julich, Julich, Germany;
JARA-FIT, Forschungszentrum Julich, Julich, Germany;
JARA-FIT, Forschungszentrum Julich, Julich, Germany;
DEEEA, Univ. Rovira i Virgili, Tarragona, Spain;
DEEEA, Univ. Rovira i Virgili, Tarragona, Spain;
NanoP, TH Mittelhessen Univ. of Appl. Sci., Giessen, Germany;
Tunneling; Analytical models; Mathematical model; TFETs; Data models; Integrated circuit modeling; Junctions;
机译:基于物理的分析模拟和栅极诱导的排水泄漏和线性度评估在双金属连接累积纳米管FET中的线性评估(DM-JAM-TFET)
机译:基于物理的基于金属氧化物的RRAM DC和AC操作的紧凑模型
机译:S2DS:基于物理的紧凑模型,用于二维半导体器件的电路仿真,包括非理想性
机译:基于分析物理框架的逻辑电池电路模拟TFET的DC / AC紧凑型
机译:基于物理的热阻抗模型,用于仿真半导体器件和电路中的自热。
机译:用于计算由HVDC接地电流感应的交流电网中的直流电流的解耦电路模型方法
机译:s2Ds:基于物理的紧凑型电路仿真模型 包含非理想的二维半导体器件