Microelectron. Technol. Lab., Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, France;
metal-insulator-metal devices; resistance switching; reversible breakdown; voltage stress;
机译:基于金属氧化物的电阻开关存储器装置的微观机理
机译:基于金属氧化物的电阻开关存储器装置的微观机理
机译:基于ITO / Ga_2O_3:ITO / TiN电阻随机存取存储器中形成电流顺应性的工程接口类型电阻切换:传导机制,温度效应和电极影响
机译:纳米金属氧化物中电阻切换机理及其对电极的依赖性
机译:金属电极镨钙锰三氧化钙界面双极场诱导电阻切换的载体跳跃机制
机译:电阻开关器件中金属氧化物的薄膜沉积:锰矿薄膜中电阻开关的电极材料依赖性
机译:电阻开关器件中金属氧化物的薄膜沉积:锰矿薄膜中电阻开关的电极材料依赖性
机译:在高温下提供结构金属抗氧化的基本机制。第一卷。气体预处理和氧化物烧结对Ti-4.32wt。%Cb和Ti-0.96wt。%si的氧化的影响。