Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, 94720 USA;
机译:基于BJT的薄型无电容器DRAM的变化研究及其意义
机译:双极模式操作和双栅极无电容器1T-DRAM单元的可扩展性
机译:高度可扩展的无电容器双栅极量子阱单晶体管DRAM:1T-QW DRAM
机译:基于BJT的电容DRAM细胞缩放限制的变异感知研究
机译:薄型SOI无电容器DRAM单元设计优化和扩展。
机译:基于双门TFET的无电容1T DRAM的编程优化
机译:具有高度可扩展的环绕栅极结构的无电容DRam单元