Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China;
机译:直接求解玻尔兹曼输运方程的非对称DG-MOSFET准弹道输运的仿真研究
机译:晶体取向与表面散射对准弹道区DG-MOSFET的影响
机译:使用NQS方法对不对称掺杂和高k氧化物材料的GCGS DG-MOSFET的性能研究
机译:不对称准弹性DG-MOSFET散射评估
机译:开发并评估了用于HPLC的商用缩合成核光散射检测器原型以及用于与缩合成核光散射检测一起使用的电喷雾气溶胶的电晕放电中和器。
机译:具有位置载流子散射相关性的准弹道漏电流电荷和电容模型对纳米级对称DG MOSFET有效
机译:具有位置载波散射依赖性的准弹出电流,电荷和电容模型,用于纳米级别的对称DG MOSFET有效