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A current reference pre-charged zero-crossing pipeline-SAR ADC in 65nm CMOS

机译:采用65nm CMOS的电流基准预充电过零流水线SAR ADC

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摘要

Using a current reference pre-charge technique, the need for power hungry low impedance voltage reference buffers is eliminated in a zero-crossing pipeline-SAR ADC. The 40MS/s ADC prototype, implemented in a 65nm CMOS process, achieves an SFDR/SDR/SNDR of 70dB/66dB/59.5dB at Nyquist, while occupying 0.95mm2 and consuming 4.5mW from a 1.35V supply, requiring no additional power for reference buffers.
机译:使用电流基准预充电技术,在过零流水线SAR ADC中消除了对功耗高的低阻抗电压基准缓冲器的需求。 40MS / s ADC原型以65nm CMOS工艺实现,在Nyquist处达到SFDR / SDR / SNDR为70dB / 66dB / 59.5dB,同时占据0.95mm 2 的功耗,而1.35功耗为4.5mW。 V电源,基准缓冲器不需要额外的电源。

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