Columbia University, New York, NY 10027, USA;
机译:低功耗零交叉流水线SAR ADC的电流参考预充电技术
机译:基于过零的10位100 MS / s流水线ADC,电流受控于90 nm CMOS
机译:具有片上电流/电压基准的11b 70MHz 1.2mm2 49mW0.18μmCMOS ADC
机译:电流参考预充电的零交叉管道 - SAR ADC在65nm CMOS中
机译:采用65nm CMOS技术的基于时间的低功耗,低失调5位1 Gs / S闪存ADC设计
机译:低功耗CMOS的霍尔传感器结构简单使用双取样Delta-Sigma ADC
机译:基于过零的10位100 MS / s流水线ADC,电流受控于90 nm CMOS