Full area emitter SiGe phototransistor for opto-microwave circuit applications

机译：全面积发射器SiGe光电晶体管，用于光微波电路应用

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We present a study of full area emitter phototransistors with different optical window sizes implemented in a SiGe Bipolar technology. Extracted responsivity of 3.5 A/W and an opto-microwave cut-off frequency of 739 MHz were observed.

机译：我们介绍了采用SiGe双极技术实现的具有不同光学窗口尺寸的全面积发射极光电晶体管的研究。观察到3.5 A / W的提取响应度和739 MHz的光波截止频率。

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来源
《2012 IEEE 9th International Conference on Group IV Photonics.》|2012年|p.294- 296|共3页
会议地点 San Diego CA(US)
作者
Rosales Marc D.; Schiellein Julien; Viana Carlos; Polleux Jean-Luc; Algani Catherine;
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作者单位

Université Paris-Est -ESYCOM-ESIEE, France;

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类材料;
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