Department of Computer Science and Information Engineering, Asia University, Taichung, Taiwan, ROC, 500, Lioufeng Rd., Wufeng, Taichung 41354, Taiwan, R. O. C;
Fast Triangular Pulse; Interface Trap Distribution; NBTI; Recovery Effect; TCAD Simulation;
机译:使用多孔氧化铝上硅模板技术对Si表面和Si / SiO2界面进行纳米结构化。 Si / SiO2界面的电气特性
机译:通过低温电导测量表征氮和氢钝化对SiO2 / 4H-SiC界面的影响
机译:金属-氧化物界面上的氢释放:氢化Al / SiO2界面的第一个原理研究
机译:Si / SiO2界面中氢量评估NBTI的表征
机译:齐格勒型铱加氢催化剂加新型四氢化四铱配合物的合成,表征及催化性能评价
机译:用于氢生成的光敏界面的合成和表征:化学改性的p型半导体硅光电阴极
机译:使用氢气量和温度在SiO2 / Si基板上调节碳纳米管直径
机译:在siO2 / si(100)界面上的氢活化/钝化的慢正电子研究。