Agilent Technologies, Beijing, 100102, P.R.C;
Institute of Microelectronics of Tsinghua University, Beijing, 10084, P.R.C;
Institute of Microelectronics of Tsinghua University, Beijing, 10084, P.R.C;
Institute of Microelectronics of Tsinghua University, Beijing, 10084, P.R.C;
Institute of Microelectronics of Tsinghua University, Beijing, 10084, P.R.C;
Institute of Microelectronics of Tsinghua University, Beijing, 10084, P.R.C;
Noise Parameter; Noise Figure; Low Noise Transistor; Vector Network Analyzer; TRL;
机译:关于“在测量晶体管噪声参数的同时测量噪声匹配微波网络中损耗的方法”的评论(和回复)
机译:从低频噪声和S参数测量中提取异质结双极晶体管的参数
机译:关于在7-50 kc / s频率范围内测量结型晶体管噪声的讨论?????????,锗扩散结光电二极管,电池?????????,?????????晶体管功率放大器?????????,????????晶体管dc转换器????????硅微波二极管中的噪声在1955年5月11日的无线电和测量部门的联席会议之前
机译:封装的低噪声晶体管的实用噪声参数测量方法
机译:一种从内部测量中分离出风洞背景噪声和风噪声的方法。
机译:基于低频噪声机器学习方法和进化算法的分配变压器参数检测
机译:使用频谱分析仪提取晶体管的噪声参数和50℃噪声系数测量