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Extraction of noise parameters of transistor using a spectrum analyser and 50 ohm sign noise figure measurements only

机译:使用频谱分析仪提取晶体管的噪声参数和50℃噪声系数测量

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摘要

A method for measuring the four noise parameters of a transistor in the microwave range using a configuration based on a conventional spectrum analyser is presented. In contrast to previous methods, it requires wideband 50 /spl Theta/ noise-figure measurements only. The method features an accuracy similar to that of noise figure meters at a much higher measurement speed and lower cost.
机译:呈现了一种使用基于传统频谱分析仪的配置测量微波范围中晶体管的四个噪声参数的方法。与先前的方法相比,它仅需要宽带50 / SPLθ/噪声系数测量。该方法具有与噪声系数计类似的精度,以更高的测量速度和更低的成本。

著录项

  • 作者

    A. Lázaro; L. Pradell;

  • 作者单位
  • 年度 1998
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类

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