Groupe Microelectronique IETRUMR 6164, University of Rennes 1 - Campus de Beaulieu, 35042 RENNES Cedex France;
机译:镍硅化物诱导的横向结晶技术制造具有对称S / D的垂直N沟道多晶硅薄膜晶体管
机译:具有使用纳米压印技术制造的周期性鳍状通道的非易失性多晶硅-薄膜晶体管-氧化硅-氮化物-氧化硅-硅存储器
机译:新型场效应晶体管中的垂直传导:p型和n型垂直沟道薄膜晶体管
机译:垂直通道薄膜晶体管技术:与3D-Ulsi单片技术的类似方法
机译:通过晶粒增强技术形成的多晶硅薄膜晶体管的建模:金属诱导的横向结晶。
机译:启用薄膜晶体管技术和重要的器件指标
机译:基于低温技术的P型和N型多栅极多晶硅垂直薄膜晶体管