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Formation of Mn Oxide with Thermal CVD and its Diffusion Barrier Property Between Cu and SiO_2

机译:热CVD法氧化锰的形成及其在Cu与SiO_2之间的扩散阻挡性能

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摘要

A manganese oxide layer was formed by thermal chemical vapor deposition(CVD) on a tetraethylorthosilicate (TEOS) oxide substrate. The thickness of the Mn oxide layer could be varied 2.6 to 10 nm depending on deposition temperature. Heat-treated samples of PVD Cu / CVD Mn oxide /SiO_2 indicated no interdiffusion. The CVD Mn oxide was found to be a good diffusion barrier layer.
机译:通过热化学气相沉积(CVD)在原硅酸四乙酯(TEOS)氧化物基底上形成氧化锰层。取决于沉积温度,Mn氧化物层的厚度可以在2.6至10nm之间变化。 PVD Cu / CVD Mn氧化物/ SiO_2的热处理样品表明没有相互扩散。发现CVD Mn氧化物是良好的扩散阻挡层。

著录项

  • 来源
  • 会议地点 San Francisco CA(US)
  • 作者单位

    Materials Science, Tohoku University, 6-6-11 Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai, 980-8579, Japan;

    rnMaterials Science, Tohoku University, 6-6-11 Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai, 980-8579, Japan;

    rnMaterials Science, Tohoku University, 6-6-11 Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai, 980-8579, Japan;

    rnMaterials Science, Tohoku University, 6-6-11 Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai, 980-8579, Japan;

  • 会议组织
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 工程材料学;
  • 关键词

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