Guizhou Provincial Key Laboratory of Computational Nano-material Science, Institute of Applied Physics, Guizhou Normal College, Guiyang, 550018, China;
机译:正常压缩应变诱导的多层MOS2和石墨烯/ MOS2异质结构的电子和力学性能调制:第一原理研究
机译:具有F,O和CL原子的边缘掺杂石墨烯纳米沥青的机械性能和电子结构
机译:石墨烯场效应晶体管电子性能调制研究
机译:压力诱导的边缘改性石墨烯纳米力学性能和电子结构调制
机译:B2结构的铁铝单晶的力学性能和应变感应铁磁性。
机译:单轴应变诱导硅的机械和电子性能调制
机译:BN和石墨烯纳米带不同组合的曲折BNC纳米带的电子结构和传输性能