Japan Aerospace Exploration Agency, Tsukuba, Ibaraki 305-8505, Japan;
Heavy ions; power MOSFETs; radiation damage; single-event effects;
机译:重新发现功率MOSFET中的单事件栅极破裂机制
机译:离子原子数对功率MOSFET单事件栅极破裂(SEGR)磁化率的影响
机译:功率MOSFET中单事件栅极破裂的横截面测量
机译:重新发现功率MOSFET中的单事件闸门破裂机制
机译:1.2 kV 4H-SiC平面栅极功率MOSFET的设计,分析和优化,用于改进的高频切换
机译:具有多个外延层的150–200 V分离栅沟道功率MOSFET
机译:离子原子数对功率MOSFET单事件栅极破裂(SEGR)磁化率的影响
机译:离子原子序数对功率mOsFET单事件栅极断裂(sEGR)敏感性的影响。