Novosibirsk State Tech. Univ., Novosibirsk, Russia;
Monte Carlo methods; annealing; desorption; evaporation; insulating thin films; reaction kinetics theory; silicon; silicon compounds; surface chemistry; Monte Carlo simulation; Si; Si-SiOsub2/sub; chemical reactions; high-temperature evaporation; thin silicon dioxide layer; Monte Carlo; Silicon dioxide; simulation;
机译:二氧化硅薄膜中热电子诱导介电击穿的蒙特卡罗模拟
机译:硅异质结太阳能电池中非晶硅钝化层输运的动力学蒙特卡洛模拟
机译:非晶硅薄膜的表面平滑:动力学蒙特卡洛模拟
机译:Monte Carlo模拟薄二氧化硅层蒸发
机译:使用超声束直接模拟硅薄膜沉积的蒙特卡洛模拟。
机译:在Ag(111)上从硅单层过渡到Si薄膜:实验数据和Monte Carlo模拟之间的比较
机译:硅薄膜等离子体沉积过程中表面生长的动力学蒙特卡洛模拟
机译:用monte Carlo模拟探讨分层高(Tc)超导体的相图