摘要:该文详细研究了PL Mapping在SI-GaAs材料与器件性能关系中的应用,实验结果表明SI-GaAs单晶的PL Mapping均匀性对器件性能有着至关重要的影响,所以在为制备器件选择优质的SI-GaAs材料时,除了电阻率、迁移率、位错密度、碳含量、RL2深度及其均匀性外,PL Mapping也是表征材料质量的一个重要参数。通过实验验证,表明PL Mapping在使用SI-GaAs做衬底,以离子注入形成有源区制作的门电路器件研究中确实起到重要作用,要保证制作性能优良的电路,首先必须保证材料常规技术指标,同时PL谱均匀性对器件性能的影响也是一个极为重要的因素。