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钱梦亮; 陈俊标;
中国半导体行业协会;
绝缘栅双极型晶体管; 结构分析; 制造工艺; 产品测试;
机译:2.5 kV-1000 A电源组件IGBT(大功率扁平封装NPT型RC-IGBT)
机译:用于通信系统开关电源的最新IGBT的特性和利用技术-引入适用于高频开关的高效,低成本NPT(非穿通)IGBT
机译:使用反向阻塞IGBT设计和控制三相T型逆变器
机译:具有最佳环路电感的1200V / 650V / 160A SiC + Si IGBT三电平T型NPC电源模块
机译:SiC P沟道绝缘栅双极晶体管(IGBTS)的建模。
机译:用IGBT H桥和双向降压对低成本4G器件进行控制的压电能量收集
机译:使用Si IGBT,SiC MOSFET和GaN HEMT的单相T型逆变器性能基准
机译:GaInas / Inp电子波导T型分支开关的制作和非线性测量。
机译:IGBT型晶体管的控制程序及相关的控制装置
机译:IGBT型晶体管的控制方法及相关控制装置
机译:IGBT型晶体管的控制方法及其转向装置
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