忆阻器存储研究与展望

摘要

随着信息呈现爆炸式增长，而CMOS的工艺尺寸逐步接近其理论极限尺寸，新型纳米级存储器件的需求日趋迫切.忆阻器被认为具有替代动态随机存储器，适应海量存储的巨大潜力.在综述忆阻器与忆阻系统概念的产生与发展的基础上，讨论忆阻器作为存储单元的特性，综述了忆阻器的阻变存储结构以及相对应的读写方法.在总结分析目前研究存在问题的基础上，探讨了今后的研究方向.