真空中固体金属二次电子发射的能谱分析

摘要

通过分析二次电子的能谱分布有助于二次电子发射理论的完善和发展,同时二次电子的能谱分析在材料表层结构分析领域有着广泛的应用.但其相关测量结果受实验环境和实验仪器的影响很大,在实验中难以精确测量.在之前已经建立的二次电子发射系统的模型的基础上,采用Monte-Carlo的模拟方法仿真二次电子运动轨迹,并统计其能谱分布.探讨了能谱分布与一次电子的入射角度和入射能量的关系.在探讨二次电子能谱分布与入射能量和入射角度的关系时，发现了能谱上存在两个峰值，而且这两个峰值出现的位置一个固定在20eV左右，而另一个与入射能量相当，并且两个峰值的相对大小与入射能量和入射角度密切相关。这对于样品检测和粒子检测具有重要的应用意义。