单光子计数型CCD的蒙特卡罗模拟研究

摘要

建立了适用于研究PI-LCX:1300型单光子计数型CCD量子效率及多像素事件的蒙特卡罗模拟模型，采用蒙特卡罗程序Geant4对0.5～30keV能量区间的X射线在CCD芯片中的输运进行了模拟研究。研究了X射线在CCD芯片中的能量沉积谱，给出了CCD探测X射线的效率曲线，其结果与厂家提供的效率曲线一致。研究了Si片厚度对探测效率的影响，结果表明在有效探测范围内，Si片越厚探测效率越高，而对较高能量的X射线，此趋势不明显。研究了能量沉积分布在多个像素中的问题，结果表明周围像素中的能量沉积主要由中心像素的特征X射线及瑞利散射X射线所贡献，在5～30keV之间X射线能量越高，能量沉积效率越低，多像素污染效果越弱。