质子和中子在硅中位移损伤等效性计算

摘要

本文基于蒙特卡罗软件Geant4，建立质子和中子在硅中的非电离能量阻止本领计算方法。在此方法中，描述了原子间库仑散射的物理过程，模拟带电粒子与晶格原子之间的屏蔽库仑散射。计算得到不同能量中子和质子在硅中的非电离能量阻止本领及其等效性。