La、Ce、Nd掺杂AgSnO2触头材料的理论研究

摘要

在被普遍运用的触头材料AgSnO2中,SnO2是一种宽禁带半导体,导电性极差,因而AgSnO2触头材料的电阻较大.本文运用第一性原理方法研究了稀土元素La、Ce、Nd掺杂AgSnO2触头材料中SnO2后的电子结构,对纯SnO2和La、Ce、Nd分别掺杂的SnO2的能带结构、态密度进行了分析对比,结果表明:La、Ce、Nd掺杂后,SnO2的导带向低能端移动使带隙变窄,TDOS均跨过费米能级,而且La掺杂时的带隙最小,费米能级处的态密度值最大,即这三种稀土元素掺杂都能提高AgSnO2触头材料导电性,而且La掺杂时导电性最好.