氮掺杂TiO2纳米棒阵列可见光下的光电化学性质

摘要

采用倾斜生长法(OAD)制备了氮化钛(TiN)纳米棒阵列,将制备的TiN纳米棒阵列在330℃空气中进行不同时间(5,15,30,60,120 min)的退火氧化,制备出氮掺杂二氧化钛(TiO2)纳米棒阵列.分别使用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外-可见分光光度计(Uv-vis)对样品进行物理表征.结果表明:氮掺杂的TiO2纳米棒阵列的光学带隙可以通过调整退火时间进行较大范围的调整;氮掺杂的TiO2纳米棒阵列在可见光下的光电流强度有明显的增加,在空气中退火氧化15 min得到的TiO2纳米棒阵列表现出最大的光电流强度;用该方法制备出的氮掺杂TiO2纳米棒阵列具有带隙可调特性,有利于其在光催化方面的应用.