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MOSFET瞬态电热特性的谱元法模拟

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本文利用谱元法(SEM)实现了基于漂移扩散模型的金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)的瞬态电热特性仿真模拟.首先选取GLL多项式为基函数,以电子、空穴准费米势和电势为变量,耦合求解了电子、空穴电流连续性方程及泊松方程,得到MOSFET内部电子、空穴浓度等参量分布,进而和热传导方程联合求解,最终实现了MOSFET瞬态电热特性的仿真模拟.

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来源
《2015年全国微波毫米波会议》|2015年|1312-1315|共4页
会议地点合肥
作者
BAO Huaguang; 包华广; DING Dazhi; 丁大志; FAN Zhenhong; 樊振宏; CHEN Rushan; 陈如山;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
金属-氧化物-半导体场效应管; 瞬态电热特性; 漂移扩散模型; 谱元法;
入库时间 2022-08-17 11:21:37

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