单粒子翻转(SEU)二维成像技术研究

摘要

为给星用半导体器件不同区域的单粒子翻转(SEU)机理研究提供一种有效手段，基于北京HI-13串列加速器，从重离子微束辐照技术和存储器单粒子效应检测技术两方面入手，对微电子器件SEU二维成像测试技术进行了研究，建立了基于虚拟技术的测试系统。利用该成像技术，对国产2K SRAM的SEU敏感区域进行了实验研究，结果与理论结果及国内外实验结果一致。