Bi2S3薄膜及Bi2S3/SnS异质结电池的制备研究

摘要

采用化学浴沉积法在玻璃衬底上制备了硫化铋(Bi2 S3)薄膜。当在玻璃衬底上先沉积一层硫化亚锡(SnS)缓冲层再沉积Bi2S3薄膜时，所制备Bi2S3薄膜的均匀性及与衬底的粘附力大大提高。其机理可能为Bi2S3不易在玻璃衬底上异质形核而在SnS缓冲层上易异质形核。制备的Bi2S3薄膜光学带隙约为1.75 eV，当光子能量大于1.38 eV时，薄膜光吸收系数大于104cm-1，当光子能量大于1.89 eV时，薄膜光吸收系数大于105cm-1。研究了后退火处理对薄膜电学性能的影响。利用以上工艺制备了Bi2S3/SnS异质结电池。 在100mw/cm2卤钨灯照射下，电池开路电压为138nlv，短路电流约0.1 mA/cm2。