化学气相沉积法制备GaN纳米结构设计性实验

摘要

本文介绍了无催化剂辅助条件下,化学气相沉积法生长GaN纳米材料的形貌演化。通过调整衬底,NH3气流、生长时间等生长参数,实现了半导体GaN纳米线的合成以及形貌调控。用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对产物的物相及形貌进行了表征。获得了合成GaN纳米线最合适的条件。本实验可以作为综合设计性实验,在材料物理及相关专业高年级大学生的教学中应用。