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彭亚斌; 余岳辉; 梁琳; 王玉彬; 刘建超;
中国科学技术协会;
中国仪器仪表学会;
中国电子学会;
中国电机工程学会;
中国铁道学会;
脉冲开关; 脉冲电流峰值; 放电电压; 电路参数; 高电压试验; 电阻负载; RSD器件;
机译:楼宇自动化控制系统和配电网:负载控制逻辑对功率损耗和峰值的影响研究
机译:适用于集成光学器件的基于损耗的全通滤波器组设计
机译:具有可控阳极的新型横向IGBT,可改善通态损耗
机译:具有损耗沟道的低损耗和通态电压超结IGBT
机译:非线性器件表征和二次谐波阻抗调谐,可在2GHz时实现碳化硅功率MESFET器件的峰值性能。
机译:纳入QRS离散度的新型心律失常危险标志物:QRSd×(T峰值-T结束)/ QRS和QRSd×(T峰值-T结束)/(QT×QRS)
机译:基于红外复合物的有机三态光伏器件电压损耗研究
机译:用于FERa211格式的16通道峰值检测aDC的自适应读出技术
机译:用于减少通态功率损耗的电气开关
机译:具有单态通态电压检测结构的高功率半导体器件
机译:变更影响研究支持程序,变更影响研究支持设备和变更影响研究支持方法
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