首页> 中文会议>2007年中国科学技术协会年会 >RSD器件通态损耗对脉冲电流峰值的影响研究

RSD器件通态损耗对脉冲电流峰值的影响研究

摘要

反向开通复合管RSD基于反向预充开通方式,具有在整个芯片面积上均匀导通、容易串并联、高电流上升率、寿命长等优点。本文在不同电阻负载下,进行了高电压试验。试验结果表明,负载相同时,RSD在开通大电流时,器件损耗对电路影响很小,放电电压与脉冲电流峰值基本呈线性关系,电流峰值主要由外电路参数决定,RSD在导通高幅值宽脉冲电流时,依然具有很高效率。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号