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非故意掺杂ZnO薄膜中受主行为的研究

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本文采用等离子体辅助金属有机物化学气相沉积法在不同衬底上生长非故意掺杂p型ZnO薄膜.最佳电阻率为12.7 cm,空穴浓度为1.88×1017 cm-3,迁移率达2.6 cm2/V s.二次离子质谱测试表明薄膜中的氧含量在等离子体生长的ZnO中显著增加.通过变温光致发光谱研究了ZnO薄膜中的受主行为.

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来源
《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》|2006年|499-502|共4页
会议地点广西北海
作者
曾昱嘉; 叶志镇; 卢洋藩; 徐伟中; 朱丽萍; 赵炳辉;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类化合物半导体 ;
关键词
金属有机物化学气相沉积; 光致发光; ZnO薄膜; 受主行为;

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