p-Si(100)表面NiP薄膜的化学镀制备及其光催化析氢特性的研究

摘要

氢能基于其可再生、热值高、清洁、易存储和运输等诸多优点将成为21世纪发展的主要能源.Fujishima首次发现了TiO2半导体电极可通过光解制取H2和O2的方法,开辟了利用太阳能制取氢气的方法,提出了新的解决能源与环境问题的途径.目前的研究主要集中在对TiO2(Eg=3.2eV),硫族金属如:CdS(Eg=2.5eV)]等半导体的研究上.单晶硅材料准备简单,没有半导体化合物所必须的复杂合成过程,其禁带宽度较小(Eg=1.12eV),可吸收紫外光和可见光,表面具有很好的平整度,通过对单晶硅表面进行金属化处理后可发生光催化反应,因此是比较理想的光电催化材料.