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刘希;
中国材料研究学会;
氮化铝;
机译:微波PECVD法合成各种厚度金刚石膜的性能
机译:PECVD制备的界面Si和SiGe层对PECVD(200℃)和APCVD(1130℃)生长的外延Si膜的影响
机译:使用PECVD从HMDSZ /甲烷/氮气或氢气混合物制备的碳膜的制备和表征
机译:使用自制备的AlN靶制备ALN膜的制备和光学性质
机译:用于超低介电常数层间电介质应用的含氟和碳的PECVD膜和类金刚石碳膜的研究。
机译:基于多孔阳极氧化铝膜的Al2O3纳米线的化学转化制备密集堆积的AlN纳米线
机译:Y2O3-AlN,Y2O3-Al2O3,R2O3-AlN的共晶混合物自发渗透制备SiC陶瓷的可行性研究Y2O3-AlN,Y2O3-Al2O3,R2O3-AlN自发渗透制备SiC陶瓷的可行性研究
机译:固相分光光度法和固相荧光法制备离子交换膜
机译:制备单晶Aln材料膜和用于单晶Aln材料膜生长的基质的方法
机译:AlN AlN AlN AlN AlN烧结体AlN基质及其制备方法
机译:ALN材料单晶膜外延生长的ALN材料和底物的单晶膜的制造方法
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